晶體振蕩器是一種高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類(lèi)振蕩電路中，以及通信系統中用于頻率發(fā)生器、為數據處理設備產(chǎn)生時(shí)鐘信號和為特定系統提供基準信號。
晶體振蕩器的應用
1．通用晶體振蕩器，用于各種電路中，產(chǎn)生振蕩頻率。
2．時(shí)鐘脈沖用石英晶體諧振器，與其它元件配合產(chǎn)生標準脈沖信號，廣泛用于數字電路中。
3．微處理器用石英晶體諧振器。
4．CTVVTR用石英晶體諧振器。
5．鐘表用石英晶體振蕩器。
晶體振蕩器的技術(shù)指標
1.總頻差：在規定的時(shí)間內，由于規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振蕩
器頻率與給定標稱(chēng)頻率的最大頻差。
說(shuō)明：總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度準確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩
定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關(guān)心，而對其他頻
率穩定度指標不嚴格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導雷達。
2. 頻率溫度穩定度：在標稱(chēng)電源和負載下，工作在規定溫度范圍內的不帶隱含基準溫度
或帶隱含基準溫度的最大允許頻偏。
fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] fT：頻率溫度穩定度
(不帶隱含基準溫度)
fTref：頻率溫度穩定度(帶隱含基準溫度)
fmax ：規定溫度范圍內測得的最高頻率
fmin：規定溫度范圍內測得的最低頻率
fref：規定基準溫度測得的頻率
說(shuō)明：采用fTref指標的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用fT指標的晶體振蕩器,故
fTref指標的晶體振蕩器售價(jià)較高。
3. 頻率穩定預熱時(shí)間：以晶體振蕩器穩定輸出頻率為基準，從加電到輸出頻率小于規定
頻率允差所需要的時(shí)間。
說(shuō)明：在多數應用中，晶體振蕩器是長(cháng)期加電的，然而在某些應用中晶體振蕩器需要
頻繁的開(kāi)機和關(guān)機，這時(shí)頻率穩定預熱時(shí)間指標需要被考慮到（尤其是對于在苛刻環(huán)境中使
用的軍用通訊電臺，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作為本
振，頻率穩定預熱時(shí)間將不少于5分鐘，而采用DTCXO只需要十幾秒鐘)。
4. 頻率老化率：在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時(shí)，振蕩器頻率和時(shí)間之間的關(guān)
系。這種長(cháng)期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化造成的，可用規定時(shí)限后
的最大變化率（如±10ppb/天，加電72小時(shí)后），或規定的時(shí)限內最大的總頻率變化（如：
±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））來(lái)表示。
說(shuō)明：TCXO的頻率老化率為：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十
年）（除特殊情況，TCXO很少采用每天頻率老化率的指標，因為即使在實(shí)驗室的條件下，溫
度變化引起的頻率變化也將大大超過(guò)溫度補償晶體振蕩器每天的頻率老化，因此這個(gè)指標失
去了實(shí)際的意義）。OCXO的頻率老化率為：±0.5ppb～±10ppb/天（加電72小時(shí)后），±
30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
5.頻率壓控范圍：將頻率控制電壓從基準電壓調到規定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的
最小峰值改變量。
說(shuō)明：基準電壓為＋2.5V，規定終點(diǎn)電壓為＋0.5V和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋
0.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-110ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為＋
130ppm，則VCXO電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±100ppm(2.5V±2V)。
6.壓控頻率響應范圍：當調制頻率變化時(shí)，峰值頻偏與調制頻率之間的關(guān)系。通常用規
定的調制頻率比規定的調制基準頻率低若干dB表示。
說(shuō)明：VCXO頻率壓控范圍頻率響應為0～10kHz。
7.頻率壓控線(xiàn)性：與理想（直線(xiàn)）函數相比的輸出頻率-輸入控制電壓傳輸特性的一種量
度，它以百分數表示整個(gè)范圍頻偏的可容許非線(xiàn)性度。
說(shuō)明：典型的VCXO頻率壓控線(xiàn)性為：≤±10%，≤±20%。簡(jiǎn)單的VCXO頻率壓控線(xiàn)性計
算方法為(當頻率壓控極性為正極性時(shí))：
頻率壓控線(xiàn)性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
fmax：VCXO在最大壓控電壓時(shí)的輸出頻率
fmin：VCXO在最小壓控電壓時(shí)的輸出頻率
f0：壓控中心電壓頻率
8.單邊帶相位噪聲￡(f)：偏離載波f處，一個(gè)相位調制邊帶的功率密度與載波功率之
比。
滬公網(wǎng)安備31010802001143號
