檢測絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT）好壞的簡(jiǎn)易方法
1、判斷極性
首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋，用萬(wàn)用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬(wàn)用表測量，若測得阻值為無(wú)窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。
2、判斷好壞
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT被觸發(fā)導通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT導通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場(chǎng)效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。
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